Силовые транзисторы MOSFET (МОП-транзисторы)
Мы предлагаем широкий ассортимент мощных МОП-транзисторов с диапазоном напряжений от -100 до 1700 В, IGBT-транзисторов (БТИЗ) с напряжением пробоя от 300 до 1700 В и силовых биполярных транзисторов с диапазоном от 15 до 1700 В. Эта инновационная технология занимает центральное место в широком спектре применений, включая бытовую электронику, источники питания, DC-DC преобразователи, контроллеры двигателей, радиочастотные (РЧ) приложения, транспортные технологии и автомобильную электронику. В нашем ассортименте продукции вы найдете надежные решения для всех основных задач, с которыми сталкиваются проектировщики и производители в различных приложениях.
Наш ассортимент продукции в сочетании с современной упаковкой (дискретной и модульной), а также средства защиты, обеспечивающие высокую надежность и безопасность, помогают разработчикам находить правильные решения для индивидуальных, высокоэффективных приложений, которые прослужат долгий срок службы.
Широкополосный транзистор
МОП-транзисторы SiC напряжением 650 В - 2200 В, дополненные GaN-транзисторами напряжением 100 В, 650 В и 900 В, обеспечивают повышенную энергоэффективность, меньший размер, меньший вес, меньшую стоимость всей системы.
Силовой МОП-транзистор
Широкий диапазон пробивных напряжений от -100 В до 1700 В, низкий заряд затвора и низкое сопротивление открытого канала в сочетании с современной компоновкой.
Модуль IGBT
Напряжение пробоя от 300 В до 1700 В. Низкое VCE(SAT) для снижения потерь проводимости.
Улучшенный разброс энергии при отключении по сравнению с ростом температуры.
МОП-транзисторы SiC напряжением 650 В - 2200 В, дополненные GaN-транзисторами напряжением 100 В, 650 В и 900 В, обеспечивают повышенную энергоэффективность, меньший размер, меньший вес, меньшую стоимость всей системы.
Силовой МОП-транзистор
Широкий диапазон пробивных напряжений от -100 В до 1700 В, низкий заряд затвора и низкое сопротивление открытого канала в сочетании с современной компоновкой.
Модуль IGBT
Напряжение пробоя от 300 В до 1700 В. Низкое VCE(SAT) для снижения потерь проводимости.
Улучшенный разброс энергии при отключении по сравнению с ростом температуры.